TK39N60W,S1VF TOSHIBA 晶体管

产品属性 属性值
制造商: Toshiba 
产品种类: MOSFET 
RoHS:  详细信息  
技术: Si 
安装风格: Through Hole 
封装 / 箱体: TO-247-3 
晶体管极性: N-Channel 
通道数量: 1 Channel 
Vds-漏源极击穿电压: 600 V 
Id-连续漏极电流: 38.8 A 
Rds On-漏源导通电阻: 55 mOhms 
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V 
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.7 V 
Qg-栅极电荷: 110 nC 
最小工作温度: - 55 C 
最大工作温度: + 150 C 
Pd-功率耗散: 270 W 
商标名: DTMOSIV 
封装: Tube 
配置: Single  
高度: 20.95 mm  
长度: 15.94 mm  
系列: TK39N60W  
晶体管类型: 1 N-Channel  
宽度: 5.02 mm  
商标: Toshiba  
正向跨导 - 最小值: -  
下降时间: 9 ns  
产品类型: MOSFET  
上升时间: 50 ns  
工厂包装数量: 30  
子类别: MOSFETs  
典型关闭延迟时间: 200 ns  
典型接通延迟时间: 80 ns  
单位重量: 38 g






TK39N60W
TK39N60W
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