MMBT5089LT1 分立半导体产品 晶体管

地区:广东 深圳
认证:

深圳市怡兴业电子科技有限公司

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类别
分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
系列
SDMOS™
包装
散装
零件状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
55A(Tc)
驱动电压(Rds On,Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻
8 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)
3V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)
26 nC @ 10 V
Vgs
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)
1450 pF @ 12.5 V
FET 功能
-
功率耗散
2.5W(Ta),50W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-252
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

公司还提供以下

封装: 0201(0603) 0402(1005) 0603(1608) 0805(2102) 1206(3216)
1210(3225) 1812(4532) 2220(5750)MMBT5089LT1
电压:4V 6.3V 10V 16V 25V 50V 63V 100V 200V 250V 400V 500V 630V
1KV 2KV 3KV 5KVMMBT5089LT1
精度:±0.05PF(A档) ±0.1PF(B档) ±0.25PF(C档) ±0.5%(D档)
±1%(F档) ±2%(G档) ±5%(J档) ±10%(K档)
±20%(M档) ±+80%-20%(Z档)MMBT5089LT1
材质:COG NPO Y5V X5R X6S X7R

品牌:村田 三星 国巨 风华 华新

温馨启示:电子元件是特殊产品,技术含量较高,由于本身可能存在着多种品牌,后辍与封装,所以可能导致参数与性能的差异,如有不慎,很有可能导致元件购买错误(此种失误,非质量问题一律不退换!),为了的解决您的问题,请您在购买我们元件前,将您所需产品的品牌、封装、脚位及后缀告诉我们!拍下物品前请与我沟通产品价格,因格不稳定,实时单价请在线咨询,以便我们能准确的发货

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型号/规格

MMBT5089LT1

品牌/商标

ON/安森美

封装

SOT-23

批号

01+00

包装方式

卷带编带包装