IRLL3303PBF 分立半导体产品 晶体管

类别
分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
管件
零件状态
Digi-Key 停止提供
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.6A（Ta）
驱动电压（ Rds On，Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻
31 毫欧 @ 4.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)
1V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)
50 nC @ 10 V
Vgs
±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)
840 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散
1W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-223
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AA

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