深圳市京易瓷科技有限公司
普通会员
图文详情
产品属性
相关推荐
品名: 1N60 TO-251
主要参数:
漏*电流ID (A): 0.8
漏源*击穿电压VDSS(V) :600
漏源*电阻RDSON(Ω):≤13
FAIRCHILD/*童
1N60
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
A/宽频带放大
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
mosfet引脚
mosfet场效应管
恒泰柯功率MOSFET
低压mosfet
4946SOP-8场效应管
商铺
询价