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这些N沟道逻辑电平增强模式电源领域场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的生产,高密度,DMOS技术。这*高密度过程*是针对减少通态电阻。这些器件*适用于低电压应用在笔记本电脑,便携式电话,PCMCIA卡,和其它电池供电的电路,快速开关,低线的功率损耗,需要在一个*小轮廓表面贴装封装。
FAIRCHILD/*童
NDS351AN
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
A/宽频带放大
SMD(SO)/表面封装
P-FET硅P沟道
-55~150℃
恒泰柯功率MOSFET
低压mosfet
mosfet场效应管
电力场效应晶体管
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