HVQL10MT200G三相高压整流桥 1A 20KV

HVQL10MT200G 简易参数表：

器件名称：三相高压整流桥堆

器件型号： HVQL10MT200G

器件品牌：HVGT Semiconductor

反向重复峰值电压 VRRM（Ta=25℃）： 20KV

正向平均电流 IFAVM （Ta=40℃）： 1.0A

正向不重复浪涌电流 IFSM（Ta=25°C; 50Hz Half-Sine Wave;8.3mS）： 20A

正向峰值电压VFM（@ 25°C; @ IFAVM）： 30V

反向直流电流IR1（VR=VRRM Ta=25℃）：2.0uA

反向直流电流IR2（VR=VRRM Toil=100℃）：50uA

反向恢复时间 Trr： 80nS

工作温度 Tj： -40~150 ℃

存储温度 Tstg： -40~150℃

PN结电容 Cj： --

器件净重： 400 克(约)

产品类型

桥堆

品牌

HVGT

型号

HVQL10MT200G

封装

HVQ-816

工作温度范围

-40~150

批号

18+

针脚数

5

材料

硅(Si)

是否进口

否

功耗

0