HVQL10MB200G高压单相整流桥 1A20KV 高频

HVQL10MB200G 简易参数表：

器件名称：单相高压整流桥堆

器件型号： HVQL10MB200G

器件品牌：HVGT Semiconductor

反向重复峰值电压 VRRM（Ta=25℃）： 20KV

正向平均电流 IFAVM （Ta=40℃）： 1.0A

正向不重复浪涌电流 IFSM（Ta=25°C; 50Hz Half-Sine Wave;8.3mS）： 20A

正向峰值电压VFM（@ 25°C; @ IFAVM）： 28.8V

反向直流电流IR1（VR=VRRM Ta=25℃）：2.0uA

反向直流电流IR2（VR=VRRM Toil=100℃）：50uA

反向恢复时间 Trr： 80nS

工作温度 Tj： -40~150 ℃

存储温度 Tstg： -40~150℃

PN结电容 Cj： --

器件净重： 195 克(约)

型号/规格

HVQL10MB200G

品牌/商标

HVGT

封装形式

HVQ-808

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

单件包装

功率特性

中功率

频率特性

高频

电流

1.0A

反向击穿电流

2.0UA