HVQL10MT200D高压三相整流桥1A20KV 工频

HVQL10MT200D 简易参数表：

器件名称：三相高压整流桥堆

器件型号： HVQL10MT200D

器件品牌：HVGT Semiconductor

反向重复峰值电压 VRRM（Ta=25℃）： 20KV

正向平均电流 IFAVM （Ta=40℃）： 1.0A

正向不重复浪涌电流 IFSM（Ta=25°C; 50Hz Half-Sine Wave;8.3mS）： 20A

正向峰值电压VFM（@ 25°C; @ IFAVM）： 22V

反向直流电流IR1（VR=VRRM Ta=25℃）：5.0uA

反向直流电流IR2（VR=VRRM Toil=100℃）：50uA

反向恢复时间 Trr： --nS

工作温度 Tj： -40~150 ℃

存储温度 Tstg： -40~150℃

PN结电容 Cj： --

器件净重： 400 克(约)

型号/规格

HVQL10MT200D

品牌/商标

HVGT

封装形式

HVQ-816

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

单件包装

功率特性

中功率

频率特性

低频

电流

1.0A

反向击穿电流

2.0UA