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N-CH VDS= 30V P-CH VDS= - 30V
RDS(ON),Vgs@10V,= 26mΩ RDS(ON),Vgs@-10V,= 60mΩ
RDS(ON),,Ids@5A= 40mΩ RDS(ON),,= 90mΩ
Features 特性
Advanced trench process technology 高级的加工技术
High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance *低的导通电阻高密度的单元设计
*的电子元器件供应商
原装正品,常备现货,量大从优!
公司坚持以“质量*、价格优惠”的经营理念向客户所提供*的优质服务,已*了广大客户的信赖和支持。
颜: :
本公司主营系列低压MOS管及IC
2300 2301 2302 2305 2306 2307 2312
3400 3401 3407 4953 9435 4410 4435
4407 9926 4501 4503 4606 4946 45N03
85N03 DW01 8205A 8205S KP1500-ADJ
KP1504-ADJ KP1510-ADJ KP1512-ADJ
型号繁多,未能尽录。更多的产品欢迎来电垂询!
APM/茂达
APM4501
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
S/开关
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
标准
标准
610