285W直插N通道功率MOS场效应管HUF75344P3 原装Intersil

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数据列表	HUF75344G3, P3, S3S
产品相片	TO-220-3, TO-220AB
产品培训模块	High Voltage Switches for Power Processing
标准包装	400
类别	分立半导体产品
家庭	FET - 单
系列	UltraFET™
包装	管件
FET 类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能	标准
漏源*电压 (Vdss)	55V
电流 - 连续漏* (Id)（25° C 时）	75A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（*大值）	8 毫欧 @ 75A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（*大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg)	210nC @ 20V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)	3200pF @ 25V
功率 - *大值	285W
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-220-3
供应商器件封装	TO-220AB
其它名称	HUF75344P3-ND HUF75344P3FS

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品牌/商标

ISI英国英特锡尔

型号/规格

HUF75344P3

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

L/功率放大

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

材料

N-FET硅N沟道

批号

1135+

封装

TO-220