14.5A直插N沟道Mos场效应管NTD4804N-1G原装On*

地区:广东 深圳
认证:

深圳市福田区新亚洲电子市场二...

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数据列表

NTD4804N

产品相片

DPAK_369D−01

产品变化通告

Reactivation Notice 23/Dec/2010 
Product Obsolescence 08/Apr/2011

标准包装

75

类别

分立半导体产品

家庭

FET - 单

系列

-

包装

管件

FET 类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能

逻辑电平门

漏源*电压 (Vdss)

30V

电流 - 连续漏* (Id)(25° C 时)

14.5A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On(*大值)

4 毫欧 @ 30A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(*大值)

2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg)

40nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

4490pF @ 12V

功率 - *大值

1.43W

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

供应商器件封装

I-Pak



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品牌/商标

ON/安森美

型号/规格

NTD4804N-1G

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

导电方式

耗尽型

用途

S/开关

封装外形

TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

材料

N-FET硅N沟道