128W直插N沟道MOS管HUF75329P3原装Intersil美国英特矽尔TO-220

地区:广东 深圳
认证:

深圳市福田区新亚洲电子市场二...

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数据列表

HUF75329G3, P3, S3S

产品相片

TO-220-3, TO-220AB

产品变化通告

Product Discontinuation 14/Mar/2011

标准包装

400

类别

分立半导体产品

家庭

FET - 

系列

UltraFET™

包装

管件

FET 类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能

标准

漏源*电压 (Vdss)

55V

电流 连续漏* (Id)25° C 时)

49A

不同 IdVgs 时的 Rds On(*大值)

24 毫欧 @ 49A10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(*大值)

4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg)

75nC @ 20V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

1060pF @ 25V

功率 *大值

128W

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-220-3

供应商器件封装

TO-220AB



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品牌/商标

Intersil美国英特矽尔

型号/规格

HUF75329P3

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

导电方式

增强型

用途

L/功率放大

封装外形

TO-220-3

材料

N-FET硅N沟道

批号

1215+

封装

TO-220