128W直插N沟道MOS管HUF75329P3原装Intersil美国英特矽尔TO-220

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数据列表	HUF75329G3, P3, S3S
产品相片	TO-220-3, TO-220AB
产品变化通告	Product Discontinuation 14/Mar/2011
标准包装	400
类别	分立半导体产品
家庭	FET - 单
系列	UltraFET™
包装	管件
FET 类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能	标准
漏源*电压 (Vdss)	55V
电流 - 连续漏* (Id)（25° C 时）	49A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（*大值）	24 毫欧 @ 49A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（*大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg)	75nC @ 20V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)	1060pF @ 25V
功率 - *大值	128W
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-220-3
供应商器件封装	TO-220AB

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品牌/商标

Intersil美国英特矽尔

型号/规格

HUF75329P3

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

MOSFET N 通道，金属氧化物

导电方式

增强型

用途

L/功率放大

封装外形

TO-220-3

材料

N-FET硅N沟道

批号

1215+

封装

TO-220