直插IRFB*0LCL原装N沟道MOS场效应管

地区:广东 深圳
认证:

深圳市福田区新亚洲电子市场二...

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数据列表

IRFB*0LC

产品目录绘图

IRF TO-262 Series Side 1
IRF TO-262 Series Side 2

标准包装

50

类别

分立半导体产品

家庭

FET - 单

系列

-

包装

管件

FET 类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能

标准

漏源*电压 (Vdss)

600V

电流 - 连续漏* (Id)(25° C 时)

6.2A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On(*大值)

1.2 欧姆 @ 3.7A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(*大值)

4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg)

39nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

1100pF @ 25V

功率 - *大值

125W

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

供应商器件封装

I2PAK

其它名称

*IRFB*0LCL



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品牌/商标

IR/国际整流器

型号/规格

IRFB*0

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

SW-REG/开关电源

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

N-FET硅N沟道