9A直插N沟道Mos管NTD3055L170-1G原装On现货*TO-251

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数据列表	NTD3055L170
产品相片	DPAK_369D−01
产品变化通告	Product Obsolescence 21/Jan/2010
标准包装	75
类别	分立半导体产品
家庭	FET - 单
系列	-
包装	管件
FET 类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能	逻辑电平门
漏源*电压 (Vdss)	60V
电流 - 连续漏* (Id)（25° C 时）	9A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（*大值）	170 毫欧 @ 4.5A，5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（*大值）	2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg)	10nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)	275pF @ 25V
功率 - *大值	1.5W
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商器件封装	I-Pak

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品牌/商标

ON/安森美

型号/规格

NTD3055L170-1G

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

MOSFET N 通道，金属氧化物

导电方式

增强型

用途

SW-REG/开关电源

封装外形

TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

材料

N-FET硅N沟道