9A直插N沟道Mos管NTD3055L170-1G原装On现货*TO-251

地区:广东 深圳
认证:

深圳市福田区新亚洲电子市场二...

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数据列表

NTD3055L170

产品相片

DPAK_369D−01

产品变化通告

Product Obsolescence 21/Jan/2010

标准包装

75

类别

分立半导体产品

家庭

FET - 单

系列

-

包装

管件

FET 类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能

逻辑电平门

漏源*电压 (Vdss)

60V

电流 - 连续漏* (Id)(25° C 时)

9A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On(*大值)

170 毫欧 @ 4.5A,5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(*大值)

2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg)

10nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

275pF @ 25V

功率 - *大值

1.5W

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

供应商器件封装

I-Pak



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品牌/商标

ON/安森美

型号/规格

NTD3055L170-1G

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

导电方式

增强型

用途

SW-REG/开关电源

封装外形

TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

材料

N-FET硅N沟道