100V MOSFET FQD12P10TM

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产品属性
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标准包装 2,500
类别分立半导体产品
家庭 FET - 单
系列 QFET™
包装带卷 (TR)
FET 类型 MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能标准
漏源*电压 (Vdss) 100V
电流 - 连续漏* (Id)（25° C 时） 9.4A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（*大值） 290 毫欧 @ 4.7A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（*大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg) 27nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 800pF @ 25V
功率 - *大值 2.5W
安装类型表面贴装
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线接片），SC-63
供应商器件封装 D-Pak

品牌/商标

FAIRCHILD/*童

型号/规格

FQD12P10TM

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

CC/恒流