功率MOS管 IRLR120NTRPBF

地区:广东 深圳
认证:

深圳市福田区新亚洲电子市场二...

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标准包装 2,000
类别 分立半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
包装 带卷 (TR)
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能 逻辑电平门
漏源*电压 (Vdss) 100V
电流 - 连续漏* (Id)(25° C 时) 10A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(*大值) 185 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(*大值) 2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg) 20nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 440pF @ 25V
功率 - *大值 48W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
供应商器件封装 D-Pak
"
封装外形

P-DIT/塑料双列直插

型号/规格

IRLR120NTRPBF

材料

N-FET硅N沟道

用途

L/功率放大

品牌/商标

IR/国际整流器

沟道类型

N沟道

种类

*缘栅(MOSFET)

导电方式

增强型