功率MOS管 IRLR120NTRPBF

标准包装 2,000
类别分立半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
包装带卷 (TR)
FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源*电压 (Vdss) 100V
电流 - 连续漏* (Id)（25° C 时） 10A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（*大值） 185 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（*大值） 2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg) 20nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 440pF @ 25V
功率 - *大值 48W
安装类型表面贴装
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线接片），SC-63
供应商器件封装 D-Pak
"

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

型号/规格

IRLR120NTRPBF

材料

N-FET硅N沟道

用途

L/功率放大

品牌/商标

IR/国际整流器

沟道类型

N沟道

种类

*缘栅(MOSFET)

导电方式

增强型