MOS管 IRF7314TRPBF IRF7313TRPBF

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产品属性
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标准包装 4,000
类别分立半导体产品
家庭 FET - 阵列
系列 HEXFET®
包装带卷 (TR)
FET 类型 2 个 P 沟道（双）
FET 功能逻辑电平门
漏源*电压 (Vdss) 20V
电流 - 连续漏* (Id)（25° C 时） 5.3A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（*大值） 58 毫欧 @ 2.9A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（*大值） 700mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg) 29nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 780pF @ 15V
功率 - *大值 2W
安装类型表面贴装
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装 8-SO

品牌/商标

IR/国际整流器

型号/规格

IRF7314TRPBF

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

A/宽频带放大