SMD三*管 BSH111

标准包装 3,000
类别分立半导体产品
家庭 FET - 单
系列 TrenchMOS™
包装带卷 (TR)
FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源*电压 (Vdss) 55V
电流 - 连续漏* (Id)（25° C 时） 335mA
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（*大值） 4 欧姆 @ 500mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（*大值） 1.3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg) 1nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 40pF @ 10V
功率 - *大值 830mW
安装类型表面贴装
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装 TO-236AB

品牌/商标

NXP/恩智浦

型号/规格

BSH111

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

A/宽频带放大

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

N-FET硅N沟道