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MOS 场效应管 1N60L IRFR1N60A

地区：广东 深圳
认证： 无

深圳市福田区新亚洲电子市场二...

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类别 分立半导体产品
家庭 FET - 单
系列 -
包装 管件
FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能 标准
漏源*电压 (Vdss) 600V
电流 - 连续漏* (Id)（25° C 时） 1.3A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（*大值） 9 欧姆 @ 650mA，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（*大值） 4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg) 8nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 160pF @ 25V
功率 - *大值 45W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商器件封装 TO-251A
 
 
类型

其他IC

品牌/商标

UTC/友顺

型号/规格

1N60L-A

功率

11

用途

仪器

封装

TO251-3

批号

2013