场效应管 STD2NK60 STD1NK60

标准包装 75
类别 分立半导体产品
家庭 FET - 单
系列 SuperM*H™
包装 管件
FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能 标准
漏源*电压 (Vdss) 600V
电流 - 连续漏* (Id)（25° C 时） 1.4A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（*大值） 8 欧姆 @ 700mA，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（*大值） 4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg) 10nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 170pF @ 25V
功率 - *大值 45W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB
供应商器件封装 I-Pak