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场效应管 SPD02N60S5 SSP4N60B

地区：广东 深圳
认证： 无

深圳市福田区新亚洲电子市场二...

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标准包装 2,500
类别 分立半导体产品
家庭 FET - 单
系列 CoolMOS™
包装 带卷 (TR)
FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能 标准
漏源*电压 (Vdss) 600V
电流 - 连续漏* (Id)（25° C 时） 1.8A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（*大值） 3 欧姆 @ 1.1A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（*大值） 5.5V @ 80µA
不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg) 9.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 240pF @ 25V
功率 - *大值 25W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
供应商器件封装 PG-TO252-3
 
 
类型

其他IC

品牌/商标

INFINEON/英飞凌

型号/规格

SPD02N60S5

功率

11

用途

仪器

封装

TO-252

批号

2013