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供应 IR牌子场效应管IRF7319TRPBF 【原装】【大量现货】

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场效应管 MOSFET 双 NP 逻辑电平 SO-8
晶体管*性: N和P沟道
电流, Id 连续: 6.5A
电压, Vds *大: 30V
在电阻RDS（上）: 29mohm
电压 @ Rds测量: 10V
阈值电压, Vgs th 典型值: 1V
功耗, Pd: 2W
工作温度范围: -55°C 到 150°C
封装类型: SOIC
针脚数: 8
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
SMD标号: F7319
功率, Pd: 2W
功耗: 2W
外宽: 4.05mm
外部深度: 5.2mm
外*度/高度: 1.75mm
封装类型: SOIC
排距: 6.3mm
晶体管数: 2
阈值电压, Vgs th N沟道 1: 1V
阈值电压, Vgs th P沟道: 1V
温度 @ 电流测量: 25°C
满功率温度: 25°C
漏*电流, Id *大值: 6.5A
漏*连续电流, Id N沟道(1): 6.5A
漏*连续电流, Id P沟道: 4.9A
电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
电压, Vds: 30V
电压, Vds 典型值: 30V
电压, Vgs *高: 1V
电流, Idm 脉冲: 30A
结温, Tj : -55°C
结温, Tj *高: 150°C
脉冲电流, Idm N沟道(1): 30A
脉冲电流, Idm P沟道: 30A
通??电阻, Rds on N沟道 *大: 29mohm
通态电阻, Rds on P沟道 *大: 58mohm
阈值电压, Vgs th : 1V

品牌/商标

IR/国际整流器

型号/规格

IRF7319TRPBF

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N,和,P,沟道

导电方式

增强型

用途

A/宽频带放大

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

N-FET硅N沟道

功耗

2W

电压

30V

工作温度

-55°C 到 +150°C