供应 IR牌子 场效应管IRLR120NTRPbF 【原装】【大量现货】

数据列表

IRLR120NTRPbF

产品相片

TO-263

标准包装

2,000

类别

分立半导体产品

家庭

FET -单

系列

HEXFET®

FET类型

MOSFET N通道，金属氧化物

FET功能

逻辑电平门

漏源*电压(Vdss)

100V

电流-连续漏*(Id)（25° C时）

10A

不同 Id、Vgs时的 Rds On（*大值）

185毫欧@ 6A，10V

不同Id时的Vgs(th)（*大值）

2V @ 250µA

不同Vgs时的栅*电荷(Qg)

20nC @ 5V

不同Vds时的输入电容(Ciss)

440pF @ 25V

功率-*大值

48W

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-252-3，DPak（2引线 接片），SC-63

供应商器件封装

D-Pak

包装

带卷(TR)