佳能时隔 20 年新建光刻厂

     根据媒体报道，自 2004 年因市场下滑停止新建半导体光刻设备生产工厂后，佳能于 2025 年 7 月 30 日宣布，将在宇都宫光学产品工厂建成一座新的半导体光刻设备工厂，预计 9 月投入运营。
　　宇都宫工厂投资额高达 500 亿日元（约合 3.38 亿美元），建成后将使光刻机总产能提升 50%。该工厂主要专注于半导体光刻设备、显示面板光刻设备以及相关的测试和封装设备，尤其侧重于半导体后期工艺的光刻工具。
　　回顾历史，21 世纪初，佳能是少数能生产半导体前端工艺设备的厂商之一，与日本尼康和荷兰 ASML 在半导体光刻机领域并驾齐驱。然而，由于战略失误，ASML 在 2020 年代占据了前端光刻设备市场 90% 的份额，佳能在该领域的影响力大幅减弱。
　　近年来，随着前端半导体制造精度提升趋于稳定，代工厂将重点转向 2.5D 和 3D 封装等先进后端封装技术。在这些先进封装方法中，高精度光刻技术对中介层加工至关重要。佳能早在 21 世纪初就预见到这一趋势，选择不投资 EUV 光刻技术，而是开发了专为封装应用设计的 I 线光刻设备，并于 2011 年推出首套系统。相比之下，尼康虽积极进军该领域，但预计 2026 年才会进入。
　　佳能高级常务董事竹石宏明表示，尽管 ASML 主导前端光刻设备市场，但佳能已在全球半导体行业的后端光刻设备领域站稳脚跟，提升了半导体光刻部门的业绩。数据显示，2015 - 2020 年，佳能平均每年出货 90 台半导体光刻机，预计 2025 年出货量将增长 2.83 倍，达到 255 台，其中后端工艺设备占出货量的 30%。
　　此外，去年 9 月，佳能向美国得克萨斯电子研究所（TIE）交付了最先进的纳米压印光刻 NIL 系统 FPA - 1200NZ2C。该研究所是德克萨斯大学奥斯汀分校支持的联盟，成员包括英特尔等芯片公司以及公共部门和学术组织。此设备将用于芯片制造商的研发，可实现最小 14nm 线宽的图案化，支持 5nm 制程逻辑半导体生产。佳能光学产品副总裁岩本一典称，公司目标是三到五年内每年销售约 10 - 20 台，该设备由佳能与 Kioxia 和大日本印刷公司合作开发，去年 10 月开始销售。
　　佳能在纳米压印技术方面的探索由来已久。从 2004 年开始研究，到 2014 年收购美国纳米技术公司 Molecular Imprints，几乎每年都有佳能纳米压印技术突破芯片生产尺寸的动向。纳米压印与光刻是不同的技术路线，光刻主要采用化学手段，纳米压印主要采用物理手段，理论上纳米压印是更低成本的方案，价格比 EUV 光刻机少一位数，耗电量只有光刻的十分之一。但纳米压印存在对准与缺陷两大难关，长期无法证明应用于量产半导体领域 10 纳米以下先进制程芯片的能力，目前主要应用于对制造缺陷容忍度较高的行业领域，且尚未进入大规模量产阶段。