SK 海力士 Q2 营收利润创新高，产能调整正当时

　　韩国芯片巨头 SK 海力士公布的第二季度财报，无疑在市场上引起了轩然大波。财报数据显示，该公司在二季度的营收和营业利润均创下了历史记录。这一卓越成绩的取得，主要得益于生成式人工智能芯片组对高带宽存储技术的强劲需求，以及部分客户在美国可能征收关税之前进行的半导体囤积行为。
　　具体来看，SK 海力士二季度营业利润达到 9.21 万亿韩元，同比增长 68.5%，远超分析师预期的 8.93 万亿韩元；营收为 22.23 万亿韩元，同比增长 35.4%，也超出分析师预期的 20.56 万亿韩元。从季度环比数据来看，第二季度营收环比增长 26%，营业利润增长 24%。SK 海力士在声明中指出，本季度营收和营业利润超越了去年第四季度的最高业绩，创下了季度业绩的历史新高。该公司表示，随着全球大型科技公司在人工智能（AI）领域的积极投资，面向 AI 的存储器需求持续增长，使得公司的 DRAM 和 NAND 闪存出货量均超出预期，从而创造了历史最高业绩。
　　得益于出色的业绩，截至第二季度末，SK 海力士的现金及现金等价物达到 17 万亿韩元，较前一季度增加了 2.7 万亿韩元。债务和净债务比率分别为 25% 和 6%，净债务环比大幅减少了 4.1 万亿韩元。SK 海力士认为，今年上半年市场需求强劲，价格条件有利。并且由于客户库存水平稳定以及新产品发布带来的预期需求，2025 年剩余时间内需求大幅调整的可能性较低。该公司还预计，全年高带宽内存（HBM）芯片销量将比 2024 年翻一番。
　　此前，Counterpoint 高级研究员 Choi Jeong - ku 曾指出，SK 海力士在 2023 年第一季度经历了史上最大季度亏损和减产的困境，但自 2024 年第一季度实现 HBM3E 的全球首次量产以来，便开启了强劲的上升势头。在 2025 年第一季度，SK 海力士首次创下了 DRAM 市场销售额全球第一的纪录，并在第二季度与三星争夺整体存储市场第一的位置。而三星电子营收的未来增长，受到向英伟达供应 HBM3E 仍存在不确定性的影响，预计全年度 HBM 内存销量增长与去年相比将较为有限。
　　为应对 HBM 需求的激增，SK 海力士正在积极进行产能调整。该公司筹备在清州 M15 工厂增设 HBM 专用后工序产线，这是该工厂第二次增设 HBM 后工序产线。此前，SK 海力士已在 M15 建立 HBM 硅通孔（TSV）加工产线。此次扩产将最大限度保留该厂的 NAND 闪存产能，通过产线重组、压缩设备间距等方式优化空间利用率。扩建预计与清州 M15X 工厂的年底竣工计划同步推进，并且 SK 海力士已向部分半导体设备企业下达后工序设备采购订单。选择改造 M15 工厂 NAND 产线，一方面是因为 SK 海力士当前可用晶圆厂空间几近饱和，除预计今年竣工的 M15X 和 M8 工厂外，新建工厂（龙仁工厂、美国印第安纳工厂）需待 2028 年后才能启用，短期内只能通过重组现有设施提升 HBM 产能；另一方面，NAND 市场低迷也是重要原因，半导体材料业界人士表示，M15 的 NAND 产线开工率持续低迷，此次布局显然与 NAND 市场疲软相关。SK 海力士计划通过此次产能调整，为 M15X 工厂的 DRAM 量产提供支持，该工厂拟投产 10 纳米第五代 DRAM（1b DRAM），其芯片可应用于 HBM4 等产品，但受限于空间约束，预计仅能满足部分产能需求。
　　此外，SK 海力士正在重整清州 M8 工厂以扩充 HBM 后端工序产能。该工厂此前因 SK 海力士系统 IC 设备迁至中国无锡而闲置，虽因设施老化难以用于前端工序，但面对产能瓶颈，SK 海力士决定将其改造为 HBM 后端工序专用产线。对于 M15 是否追加 HBM 后端工序产线投资的问题，SK 海力士回应称 “尚未最终确定”。