三星副会长赴美，与英伟达商洽 HBM3E 供货及 HBM4 方向

　　据韩媒 news1 披露，三星电子 DS（半导体）部门主管、公司副会长全永贤近期前往美国，与芯片巨头英伟达展开了一系列重要洽谈，主要围绕 HBM3E 12 层产品供应及代工业务，旨在争取可能的订单。
　　目前，向英伟达供应 HBM3E 12 层产品是三星的关键任务之一。自去年起，三星就积极申请英伟达的质量认证，然而首次尝试遭遇了英伟达的驳回。不过，三星并未放弃，正以改进设计后的新版本重新申请认证，并努力尝试向英伟达供货。值得一提的是，近期三星已成功向 AMD MI350X 系列 AI 芯片供应 HBM3E 12 层产品。这一成果在很大程度上消除了外界对其产品品质的担忧，也为其通过英伟达认证增添了几分可能性。一旦三星顺利获得英伟达的订单，它将与当前在 HBM 领域处于领先地位的 SK 海力士以及美国美光展开更为激烈的市场竞争。
　　除了 HBM3E 12 层产品的供应问题，业界普遍推测，全永贤此次美国之行还与英伟达讨论了第六代 HBM（HBM4）的未来供货方向。在 HBM4 领域，三星的竞争对手 SK 海力士和美光已分别在今年 3 月和 6 月向客户交付了基于第五代 10 纳米级 DRAM（1b 工艺）的 HBM4 样品。而三星计划凭借采用更先进第六代（1c 工艺）DRAM 的 HBM4 产品实现技术反超，在未来的市场竞争中占据有利地位。