英特尔董事：新型晶体管设计或减少芯片制造对 EUV 光刻机依赖

　　在芯片制造领域，一直以来先进光刻设备都占据着核心地位。然而，英特尔一位董事提出了一个颇具挑战性的观点，他认为未来晶体管设计，如环绕栅极场效应晶体管（GAAFET）和互补场效应晶体管（CFET），可能会降低芯片制造对先进光刻设备，尤其是极紫外（EUV）光刻机的依赖，这无疑挑战了当前先进芯片制造的核心范式。
　　目前，ASML 的 EUV 光刻机是制造高端芯片，如 7nm 及以下节点芯片的关键设备。在芯片制造过程中，它承担着将极其微小的电路设计精准 “打印” 到硅晶圆上的重要任务。可以说，在现有的芯片制造工艺中，光刻环节起着主导作用。
　　但英特尔这位董事却有着不同的看法。他指出，GAAFET 和 CFET 这类新型晶体管设计，会显著增加光刻之后制造步骤的重要性，尤其是刻蚀技术。芯片制造的流程通常是先通过光刻将设计图案转移到晶圆表面，接着通过沉积添加材料，再通过刻蚀选择性地去除材料，最终形成晶体管和电路结构。
　　而新型晶体管设计有着独特的特点。GAAFET 的核心在于 “包裹” 栅极结构，CFET 则是堆叠晶体管组，这种三维结构的复杂性对精确刻蚀提出了更高的要求。为了实现 “包裹” 栅极或创建堆叠结构，芯片制造商需要更精细地去除晶圆上的多余材料，特别是在横向方向上。这就意味着刻蚀技术在新型晶体管设计的芯片制造中，将发挥更为关键的作用，从而削弱光刻在整体工艺中的主导地位。