铠侠拟定五年产量翻倍计划，力挺 AI 数据中心 NAND 需求

　　铠侠控股在经营方针说明会上宣布了一系列重要计划，旨在满足 AI 数据中心对 NAND 闪存日益增长的需求。
　　铠侠控股表示，计划在未来五年内将产能（以存储容量计算）提升一倍。具体而言，该公司将通过扩大其四日市工厂和北上工厂的生产线来实现这一目标，预计到 2029 财年，其产能将相较于 2024 财年提高一倍。这一举措是为了应对 AI 数据中心对海量数据存储和快速读写的迫切需求。
　　与此同时，铠侠还公布了其中长期经营计划。北上市第二生产基地大楼将于 9 月落成，并将引入新设备以提升产能。公司计划在 2026 年 3 月实现其相关产品销售额超过现有产品。这显示出铠侠对自身产品市场前景的信心以及在存储领域持续投入和发展的决心。
　　值得一提的是，铠侠正在研发的下一代存储器 “存储级存储器（SCM）” 备受关注。这种存储器的数据读写速度快于传统的 NAND 闪存，并且与目前用于 AI 的动态随机存取存储器（DRAM）相比，具有更大的存储容量。当与 AI 芯片结合使用时，SCM 能够进一步提升 AI 的性能，为 AI 技术的发展提供更强大的支持。