新兴存储器普及在望，NOR Flash 地位受挑战

　　近期，MRAM 制造商 Everspin Technologies 宣布推出符合汽车可靠性标准 AEC - Q100 的新型 MRAM 产品。该标准由汽车电子委员会（AEC）制定，明确了汽车电子产品通用元器件的资格认证和质量体系标准，包含针对集成电路的一系列资格认证测试序列。Everspin 的最新高可靠性分立 MRAM 产品是其 “PERSYST EMxxLX” 系列的拓展，涵盖 “EM064LX HR” 和 “EM128LX HR”。这些设备的工作温度范围为 - 40°C 至 125°C，既适用于汽车应用，也满足了航空航天、国防以及恶劣工业环境对持久高速内存的需求。
　　NVIDIA 高级营销总监 Joe O'Hare 指出，MRAM 的需求主要源于汽车应用，汽车需要能承受极端温度的高可靠性内存组件，同时低地球轨道卫星（LEO）的快速发展也需要能耐受恶劣操作环境（包括耐辐射）的内存。他还提到，Everspin 的 PERSYST MRAM 凭借卓越的耐用性和可靠性，在关键存储应用中有 20 年的良好使用记录，是同温度范围内速度最快的 MRAM，其 64Mb/128Mb 的容量使其成为关键任务系统的理想选择。此外，目前 MRAM 最有可能取代 NOR 闪存，因为 NOR 闪存面临扩展和密度方面的限制，而 MRAM 写入速度高，可降低实时应用的系统开销，且架构更简单。不过，Everspin 虽推出符合汽车标准的产品，但在太空探索应用方面的参与度更高。
　　与此同时，Weebit Nano 也将目光投向汽车领域，推出嵌入式 ReRAM 作为 NOR Flash 的替代品。该公司采用半导体制造商 SkyWater Technology 的 130nm CMOS 工艺的 ReRAM 模块，已完成 AEC - Q100 标准 150°C 运行评估。Weebit Nano 营销和业务开发副总裁 Eran Briman 表示，AEC - Q100 是汽车领域的黄金标准，他们为 ReRAM 产品开发的 “任务配置文件” 可满足所有汽车环境的需求。汽车微控制器的普及正在加速，28nm 以后闪存将无可替代，而汽车 ReRAM 在软件定义汽车的无线（OTA）定期更新方面具有机遇，这类汽车需要更高耐用性的非易失性存储器。
　　然而，新兴存储器的普及并非一帆风顺。Objective Analysis 首席分析师 Jim Handy 认为，可靠性对汽车存储器客户很重要，但他们也会考虑价格因素。在许多情况下，NAND 闪存从价格角度仍是最佳选择，MRAM 若要成为 NOR 闪存的替代品，目前面临来源少的挑战。对于空间应用，MRAM 的可靠性和抗辐射性很关键，而 ReRAM 则在可靠性和承受极端温度方面表现出色。新兴存储器面临的最大挑战还是成本，尽管技术上优于现有内存，但现有产品价格更便宜。