SK 海力士突破：321 层 NAND 闪存 UFS 4.1 方案问世

　　根据媒体报道，SK 海力士于 5 月 22 日宣布了一项重大技术突破 —— 成功开发出搭载全球最高 321 层 1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND 闪存的移动端解决方案产品 UFS 4.1。这一成果标志着 SK 海力士在闪存技术领域又迈出了重要一步。
　　随着人工智能技术的飞速发展，端侧（On - device）AI 在移动设备上的应用需求呈现出持续增长的态势。在这样的趋势下，终端设备的计算性能与电池效率之间的平衡变得愈发关键。超薄设计和低功耗特性已逐渐成为移动设备行业的标准要求。为了满足这些需求，SK 海力士在此次开发的 UFS 4.1 产品上进行了诸多创新。
　　SK 海力士方面表示，为了确保移动设备上端侧 AI 能够稳定运行，所搭载的 NAND 闪存解决方案产品必须具备高性能与低功耗的双重特性。这款经过对 AI 工作负载优化的 UFS 4.1 产品，将有助于公司进一步巩固其在旗舰智能手机市场中的存储器技术领导地位。
　　从产品性能来看，此次开发的新品相比上一代基于 238 层 NAND 闪存的产品，能效提升了 7%。这意味着在相同的使用场景下，该产品能够消耗更少的电量，从而延长移动设备的续航时间。同时，产品厚度也从 1mm 成功减薄至 0.85mm，使其能够更好地适配超薄智能手机的设计需求。
　　在数据传输方面，该产品支持第四代 UFS 产品的顺序读取峰值，数据传输速率高达 4300MB/s。而决定移动设备多任务处理能力的随机读取和写入速度，相较上一代产品分别提升了 15% 与 40%，达到了现存 UFS 4.1 产品中全球领先的水平。这将为用户带来更加流畅的使用体验，无论是多任务处理、快速加载应用程序还是进行大数据的读写操作，都能更加高效地完成。
　　该产品提供了 512GB 和 1TB 两种容量规格，能够满足不同用户对于存储容量的需求。SK 海力士计划于今年内向客户交付样品以进行验证流程，并将于明年第一季度正式进入量产阶段。这也意味着，消费者有望在不久的将来在市场上见到搭载这款高性能闪存产品的移动设备。