1. DRAM市场：关税窗口期引发的库存博弈 根据集邦咨询最新的内存现货价格趋势报告价格走势
现货价单周跳涨2.81%（DDR4 1Gx8 3200MT/s达1.720美元）
供应商集体调价8-10%，低价芯片涨幅尤甚
驱动因素
关税缓冲期效应：美国90天宽限期触发"安全库存"策略
备货模式转型：OEM厂商库存周转天数从45天增至60-75天
HBM技术红利：SK海力士凭借HBM3E产品斩获36%市占（超越三星）
2. NAND Flash市场：AI需求与关税政策的拉锯战 价格表现 512Gb TLC晶圆微跌0.04%（2.764美元）
企业级SSD合约价维持Q2涨幅
结构性变化
需求端： 数据中心采购暂缓（等待关税细则）
AI手机/PC备货季启动（256GB+容量需求增30%）
供给端： 三星/西数仍维持20%减产
长江存储扩产YMC 3.0技术产能
3. 技术变革与市场格局 DRAM领域
行业观察人士预计，HBM统治力：SK海力士HBM3E良率超80%（三星仅65%）
DDR5渗透：Q2占比达38%（较Q1提升5个百分点）
NAND领域
QLC崛起：企业级SSD中QLC占比突破25%
国产替代：长存232层产品获华为/联想订单
5. 后市预测与风险 上行因素
AI终端设备爆发（Gartner预测6440亿美元支出）
HBM产能持续吃紧（交货周期达20周+）
下行风险
关税政策落地不及预期
长江存储激进扩产打破平衡
（以上数据来源：TrendForce、Gartner、Counterpoint最新报告）
