SK海力士首次独家向英伟达提供12层HBM4样品

　　SK海力士19日宣布，推出面向AI的超高性能DRAM新产品12层HBM4，并且全球首次向主要客户提供了其样品。
　　综合多家媒体和分析机构的消息，这里所指的“主要客户”，就是NVIDIA。
　　根据官方消息，SK海力士此次提供的12层HBM4样品，首次实现了最高每秒可以处理2TB(太字节)以上数据的带宽，容量也是12层堆叠产品的最高水平。其相当于在1秒内可处理400部以上全高清(FHD)级电影的数据，运行速度与前一代(HBM3E)相比提高了60%以上。
　　同时，公司通过在该产品上采用已在前一代产品获得竞争力认可的Advanced MR-MUF工艺，实现了现有12层HBM可达到的最大36GB容量。通过此工艺控制了芯片的翘曲现象，还有效提升了散热性能，由此最大程度地提高了产品的稳定性。
　　SK海力士从2022年的HBM3开始，在2024年陆续实现了8层和12层HBM3E产品量产，通过恰时开发和供应HBM产品，维持了面向AI的存储器市场领导力。据外媒报道，其采用16层堆叠的HBM产品预计将于2026年推出。
　　SK海力士强调：“以引领HBM市场的技术竞争力和生产经验为基础，能够比原计划提早实现12层HBM4的样品出货，并已开始与客户的验证流程。公司将在下半年完成量产准备，由此巩固在面向AI的新一代存储器市场领导地位。”
　　其实早在去年11月，SK集团会长崔泰源就表示，英伟达CEO黄仁勋要求SK海力士提前六个月供应被称为HBM4的下一代高带宽内存芯片。而作为竞争对手的三星电子公司此前已获得批准向英伟达供应其高带宽存储芯片8层HBM3E，虽然该批准标志着三星向前迈进了一步，但它在高带宽内存（HBM）技术方面仍然落后于SK海力士和美光科技等竞争对手。