Kioxia的新第10代332层4.8 GB/S 3D NAND Flash比其第8代ICS快33％ 消息 由Sayem Ahmed出版12小时前

　根据外媒报道，Kioxia与Sandisk合作，揭示了其第十代3D NAND闪存技术，该版本与国际固态电路会议（ESSCC）2025相吻合。新闪光灯可提供高达33％的性能和增强的位密度，增强的位密度，与前几代相比，接口速度和功率效率。
　　Kioxia的新3D闪存具有直接粘合到数组（CBA）的CMO，该CMO是通过键入CMOS WAFER和单独制造的单元格阵列晶片创建的。这并不是什么新鲜事物，因为它也出现在Kioxia的第八代3D NAND产品中。但是，较大的亮点是新的接口标准，切换DDR6.0，它允许高达4.8 GB/s NAND接口速度。
　　Kioxia声称，速度比其第八代技术快33％，部分原因是，与第八代的218层相比，现在的记忆层数量增加，现在位于322层为38％。
　　虽然322层与公司在2027年创建1,000层3D NAND的目标相距甚远，但这仍然是一项令人印象深刻的壮举。 Kioxia声称，322层3D NAND也将位密度提高了59％。