据报道,中国内存公司长鑫存储科技(CXMT)已成功量产先进的双倍数据速率(DDR)5内存,争论正在升级。考虑到三星电子于2021年开始量产DDR5,这表明中国的技术差距已缩小到不到三年。
韩国半导体工业协会执行董事 Ahn Ki-hyun 表示:“三星电子需要更快地瞄准长鑫存储无法挑战的市场”并补充道,“需要快速过渡到第 5 代 HBM (HBM3E) 或第 6 代产品(HBM4)。”
然而,半导体行业普遍认为,中国距离实现全面的“半导体崛起”还有一段路要走。这是由于美国的法规限制,无法进口半导体工艺必不可少的极紫外(EUV)光刻机等先进设备,以及特朗普政府将对中国实施更严厉的半导体法规的预期。
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