三星将在平泽P2厂建设10nm第七代DRAM试验线

　　据报道，三星计划于2024年第四季度开始建设1d DRAM试验线，预计于2025年第一季度完工。虽然这条1d DRAM生产线具体生产规模的细节尚不清楚，但业内估计，试验线的月产能通常约为10000片晶圆。
　　三星计划于2025年开始量产1c DRAM，随后于2026年开始量产1d DRAM。该公司在为1c DRAM量产做准备的同时建立这条试验线的决定反映出其积极的发展战略。
　　业内人士称，新任三星设备解决方案（DS）负责人全英铉（Young-Hyun Jun）的技术背景使他能够直接管理三星的存储技术，从DRAM等核心业务开始，在DS部门内实施重大改革。与此同时，三星也在加大对NAND闪存技术的投资。