三星电子将建立 10 纳米级第七代 DRAM 测试线

　　三星电子已开始建立一条测试线，以提高其第七代 (1d) DRAM 的产量，该内存是领先两代的 10 纳米（纳米，十亿分之一米）水平的存储器。此举被解读为在失去在包括高带宽内存（HBM）在内的DRAM领域的“优势”地位后，为扩大与竞争对手的技术差距而采取的先发制人的投资。
　　12月17日，据业内人士透露，三星从今年第四季度开始在平泽第二工厂（P2）建设10纳米级第七代DRAM测试线。业界也将这条测试线称为“单路径”线。该生产线预计将于明年第一季度全面建成。
　　测试线是测试半导体新产品量产潜力的设施。一旦下一代芯片的性能在??研发（R&D）阶段得到确认，晶圆就会被引入这里，开始提高量产良率的过程。尽管平泽 10 纳米级第七代 DRAM 工厂的确切规模尚未确定，但通常安装测试线每月可处理约 10,000 片晶圆。
　　10纳米级第七代DRAM是第六代产品的下一个阵容，预计明年开始量产。今年3月，三星在美国举办的“MemCon 2024”上宣布，计划在2026年之前量产第7代DRAM。
　　关键是，这条测试线是与第六代DRAM量产准备同时建立的。三星计划从明年初开始引进以平泽第四工厂（P4）为中心的半导体设备，生产10纳米级第六代DRAM。三星目前正在加速提高良率，目标是在明年 5 月之前获得第 6 代 DRAM 的内部量产批准（PRA）。为了顺利进行1c DRAM的量产，还有从华城工厂派遣DRAM相关人员到平泽的动向。
　　三星在下一款产品进入量产阶段之前就为下一款产品建立设施的举动被解读为一项激进的投资，目的是将明年作为重新获得“优势”的开端年。
　　今年，三星作为全球第一大 DRAM 制造商的自豪感受到了打击。在作为AI存储器而备受关注的HBM市场中，其地位已经输给了第二大公司SK海力士，而且在10nm级六代存储器的开发速度上也落后了，失去了主要竞争力。记忆。
　　因此，为了明年重新夺回第一的领导地位，管理层的决定似乎是利用丰富的人力资源和生产能力，尽可能加快未来产品的开发速度。
　　尤其是三星电子副会长兼半导体（DS）部门负责人全英贤的管理政策也得到了积极体现。通过上个月三星的高管改组，Jeon被任命为负责DS部门的首席执行官，同时兼任内存部门的负责人。他以强劲的推动力而闻名，预计将大胆推进技术开发和投资。
　　一位行业官员解释说：“由于 Jeon 现在可以更密切地参与三星的内存技术，预计他将从主流 DRAM 开始大力创新。”
　　与此同时，三星电子也在加速对另一种存储器NAND闪存的投资。最近，该公司正在平泽一号工厂安装业界第一条 400 层 NAND (V10) 测试线，并在平泽四号工厂安装 286 层 (V9) 设备。