三星完成突破性 400 层 NAND 技术的开发

　　三星电子在其半导体研究所成功完成了其突破性 400 层 NAND 技术的开发。该公司已开始将这项先进技术转移到平泽园区一号工厂的大规模生产线上，这一过程于上个月开始。这一重要的里程碑使三星处于 NAND 闪存技术的前沿，因为它准备与 SK 海力士等行业竞争对手竞争，后者最近宣布批量生产 321 层 NAND。
　　三星电子计划于明年 2 月在美国举行的 2025 年国际固态电路会议 (ISSCC) 上详细发布其 1Tb 容量 400 层三级单元 (TLC) NAND。这种先进 NAND 的量产预计将于明年下半年开始，不过一些行业专家预测，如果加快进程，生产可能会在第二季度末开始。
　　除了400层NAND之外，三星电子明年还将增加其先进产品线的产量。该公司计划在平泽园区安装新的第9代（286层）生产设施，月产能为30,000至40,000片晶圆。此外，在中国西安工厂，三星将继续将128层（V6）NAND生产线转换为236层（V8）产品工艺。
　　400层NAND的开发代表了NAND??闪存技术的重大飞跃，该技术已从传统的平面（2D）NAND发展到三星于2013年推出的3D NAND。该技术涉及垂直堆叠存储单元以提高存储密度和效率。三星为 400 层 NAND 引入“三重堆栈”技术，其中涉及将存储单元堆叠为三层，标志着该领域的显着进步。
　　三星电子目前在全球 NAND 闪存市场占据主导地位，市场份额为 36.9%。该公司在与SK海力士的激烈竞争中努力保持领先地位，SK海力士是全球率先在2023年量产238层产品的公司，最近又宣布计划量产321层NAND。