英特尔《芯片法案》资金减少至 79 亿美元

　　英特尔已将其初步的 85 亿美元《芯片法案》资金减少至确认的 79 亿美元。
　　据《纽约时报》报道，此次削减的原因是该公司计划限制其在俄亥俄州的投资、五角大楼一项价值 30 亿美元的代工交易以及其工艺开发工作的结果不令人信服。
　　除了 79 亿美元的赠款外，英特尔还准备获得 110 亿美元的政府贷款。
　　《纽约时报》援引匿名消息人士的话称，英特尔已将俄亥俄州两座晶圆厂项目的竣工时间从原定的 2025 年推迟到 2030 年。
　　英特尔可能削减《芯片法案》拨款的另一个原因是，英特尔迄今为止未能说服潜在客户，它有望赶上或击败台积电的工艺技术。
　　英特尔原本表示，明年将推出18A工艺超越台积电，该工艺采用  GAA晶体管和背面供电（BSPD）两大创新。
　　台积电将在 N2工艺中转向 GAA 晶体管  ，预计将于 2025 年下半年量产，但要到 2026 年 A16 工艺推出后才会转向 BSPD。因此，如果英特尔对这两项创新的采用能够提供比 N2 更出色的工艺并以商业产量批量运行，那么它仍然处于竞争之中。
　　英特尔首席执行官帕特·基辛格 (Pat Gelsinger) 表示：“随着英特尔 3 代芯片已经投入量产，英特尔 18A 芯片将于明年投入使用，尖端半导体将再次在美国本土生产。”