SK海力士在NAND闪存领域也超越三星电子

　　SK海力士推出首款300层NAND闪存产品，威胁三星电子在存储半导体行业的领先地位。三星电子在高带宽内存（HBM）技术和最近的 DRAM 技术方面被评价为被超越，但在 NAND 堆叠竞争中也失去了领先地位，将其竞争劣势蔓延到各种内存产品中。
　　11月22日，SK海力士宣布开始量产321层1Tb（太比特）三层单元（TLC）NAND闪存。该产品将每个可存储三位的单元堆叠成 321 层，总容量达到 1Tb。
　　到目前为止，业界最高层数的产品在200层范围内。 SK海力士是第一个成功量产300层产品的公司。新产品的数据传输速度比上一代产品快12%，读取性能提高13%。数据读取功耗效率也提升了10%以上。 SK海力士相关人士解释称，“通过321层NAND，我们计划积极应对新的低功耗、高性能AI市场，并逐步扩大其应用范围。”
　　SK海力士在300层产品上取得领先的消息，引起了三星电子内部的危机感。最初将垂直堆叠单元技术商业化而不是水平堆叠以扩大 NAND 产品产能的先驱不是别人，正是三星电子。三星电子于 2013 年通过垂直堆叠单元推出了业界首款“V（垂直）NAND”。自此，NAND行业技术竞争的标准就变成了能堆叠多少层。三星电子相关人士表示，“在上一代产品中，三星电子通过改变量产准备评估的标准或条件，在最初的开发阶段取得了领先，但现在SK海力士的技术已经显着进步，这使得它变得困难。”
　　与 DRAM 相比，NAND 一直处于人工智能热潮之外，但最近气氛发生了变化。数据中心对支持人工智能计算的快速高性能固态硬盘（SSD）的需求激增，尤其是企业级SSD（eSSD），与HBM的需求类似。 SK 海力士是从 AI 驱动的 NAND 热潮中受益最多的公司之一。今年第三季度，SK海力士的eSSD销量同比猛增430%，占SSD总销量的60%。
　　SK海力士正在加速扩大以eSSD为中心的NAND竞争力。最近，领导该集团人工智能战略的SK集团董事长Chey Tae-won出任SK海力士子公司Solidigm董事长。 Solidigm是业内唯一一家拥有量产四级单元（QLC）NAND技术的公司，在eSSD供应方面处于领先地位。 QLC 每个单元最多可存储 4 位，容量高效，非常适合大容量 AI 数据中心使用的 eSSD。一位业内人士表示，“人工智能数据中心比PC和手机需要更高容量和更快的存储设备”，“与传统HDD相比，eSSD具有性能优势，但价格一直是障碍。基于QLC的产品具有更高的容量和成本”与其他技术相比的效率，使其受到人工智能数据中心的高度追捧。”
　　对于三星电子来说，NAND是必须保护的最后一道防线。它一直是内存行业的老大，但由于AI驱动的格局变化，它在HBM和DRAM领域连续面临SK海力士的危机。在HBM市场，SK海力士是Nvidia的主要供应商，而在下一代DRAM（D1c）的量产竞争中，根据业界共识，SK海力士略微领先。
　　一位业内人士表示，“如果三星电子允许SK海力士在NAND闪存领域继DRAM和HBM之后迎头赶上，这将是三重打击，对行业的象征意义将是重大的”，“尽管三星电子的销售份额目前势不可挡，但基于 SK 海力士在不断增长的 eSSD 市场中的强劲表现，差距可以迅速缩小。”