SK海力士宣布量产321层NAND闪存

　　SK海力士宣布量产全球首款321层NAND闪存。据新闻稿称，该公司将从 2025 年 1 月开始向客户提供 321 高 1TB 容量的 NAND 闪存。
　　SK 海力士的 321 层高 NAND 闪存基于该公司称为“3 插头”工艺的技术。据称，这项技术以其卓越的生产效率而闻名，“......在完成三轮插头工艺后，通过优化的后续工艺将三个插头电连接起来。” “对于这个过程，SK海力士开发了一种低应力材料，同时引入了自动校正插头之间对齐的技术。”
　　SK hynix 的 321 层 NAND 也使用与上一代 238 层闪存相同的开发平台，据称 321 层产量提高了 59%。与上一代相比，转向 321 层的数据传输速度提高了 12%，读取性能提高了 13%。电源效率也提高了10%以上。