SK海力士HBM3E 12层订单激增

　　随着客户订单的激增，SK 海力士正在采用新的工艺技术来提高其第 5 代高带宽存储器 (HBM3E) 12 层的生产率。该策略是生产尽可能多的成品，以迅速满足巨大的需求。 Nextin等拥有先进技术的国内设备公司也有机会进入SK海力士的下一代HBM供应链，从而扩大国内材料、零部件和设备生态系统。
　　据业内人士10月28日透露，SK海力士正在评估国内半导体设备公司Nextin的一台3D检测设备。这是SK海力士首次将3D检测设备引入HBM工艺。
　　该设备在将各个 DRAM 堆叠到 HBM 之前检查它们的状况。 SK Hynix 之所以需要这种设备，是因为翘曲现象随着单个 DRAM 厚度的减小而加剧。 SK海力士今年下半年开始从HBM3E 8层产品过渡到12层产品。由于在与 8 层产品相同的条件下还需要堆叠 4 层，因此 SK 海力士必须将单个 DRAM 磨得更薄以进行堆叠。此过程中产生的最严重的问题是翘曲现象。随着 DRAM 厚度的减小，它们在晶圆到芯片的切割过程中更容易发生翘曲或不必要的损坏。