大摩存储寒冬

　　外界普遍认为存储市况正走在稳健的道路之际，外资摩根士丹利最新报告却大泼冷水，直言存储「寒冬将至」，DRAM市场恐从周期性高峰回落，预期最快将于第4季反转向下，开始面临供过于求压力，不仅接下来订价环境更具挑战，供过于求问题更会一路延续至2026年。
　　大摩是近期开出第一枪看坏存储市况的外资，法人认为，若DRAM市况反转向下，将牵动相关业者后市。
　　大摩今年第2季初仍看多存储市况，当时认为在AI快速发展下，将导致DRAM和高频宽存储（HBM）供不应求，预计整个DRAM市场供应缺口高达23%，乐观预期将出现产业「超级周期」。短短半年大摩即「变脸」，最新存储产业报告出现180度大转变。
　　大摩在最新报告指出，「行业不会永远处于夏季，寒冬总会到来」，尽管存储价格仍在上涨，但随着供应追上需求，增长速度正在接近峰值，将存储周指标自2021年以来首次从「周期后期」调整为「周期峰值」，研判在接下来的几个季度中，存储产业将走完一个完整周期，最快今年第4季就会看到这个高峰周期结束。
　　大摩强调，虽然AI需求相对仍强劲，但传统终端市场最近几周已恶化或保持疲软，并导致价格下滑，初步迹象表明，第4季订价环境将更具挑战，预期恐于2025年出现趋势逆转，DRAM将一路供过于求至2026年，主因库存持续积累，并加剧供需失衡状况。
　　就主要厂商后市来看，大摩大刀一挥，大砍SK海力士目标价，从26万韩元腰斩至12万韩元。
　　大摩认为，SK海力士今年大部分时期仍将表现良好，但从第4季开始乌云密布；大摩看坏SK海力士之际，对南亚科、旺宏（2337）等台湾存储厂也同步给予「减码」评等，使得以DRAM为主要货源、常因市况起伏而影响营运的存储模组厂后市同受关注。
　　外资摩根士丹利最新报告开出进看坏DRAM市况的第一枪之际，同步唱衰当红的高频宽存储（HBM）后市，预期随着市场分散化以及AI领域投资达到高峰，明年HBM市场可能供过于求。惟存储业者普遍不认同大摩的观点，认为HBM市场一路旺到2025年无虞。
　　大摩的观点是，每家存储厂都在根据HBM产出的最佳可能情况进行生产，将全球原本用于生产DRAM的15%产能转换至生产HBM，这只需要少量的资本投资，预估仅不到2024年DRAM晶圆制造设备的10%，然而，如果按这个计画进行，HBM产能可能会面临过剩。
　　大摩直言，现阶段业界良好的HBM供应状态，2025年时，恐面临实际产出可能会逐渐赶上、甚至超过当前被高估的需求量。一旦上述问题浮现，导致HBM供过于求，存储厂可把产能挪回制造DDR5，并闲置一小部分后端设备。
　　目前全球HBM主要由SK海力士、三星、美光等三家国外大厂供应，台厂并未涉入HBM制造。相较于大摩看坏HBM市场发展，SK海力士、三星仍力挺HBM后市。
　　三星、SK海力士本月初来台参加国际半导体展（SEMICON Taiwan 2024），当时两大厂即同步释出对HBM后市正向看待的观点，并积极推出最新产品，且不约而同强调将强化与其他晶圆厂合作。
　　三星并推估，HBM市场规模今年将达到16亿Gb，相当于2016年到2023年加起来再乘以两倍的数字，显现HBM市场爆发力强劲，看好AI将带动DRAM市场蓬勃发展。为此，三星下世代MCRDIMM也已经准备好将在年底量产，并推出32Gb DDR5。