三星，更大更便宜的 SSD 即将问世

　　4 月推出新款 V9 TLC NAND 闪存后，三星宣布首次量产其尖端第 9 代 V9 QLC 闪存。存储空间更大的 V9 型号正在量产 1TB 型号。
　　三星透露，其 V9 QLC 闪存利用通道孔蚀刻技术实现了业内最高的层数，采用双堆栈设计。借鉴其第 9 代 TLC 变体的经验，V9 QLC 比上一代 QLC V-NAND 闪存密度高出约 86%。三星还使用设计模具技术和预测程序技术将数据保留性能提高约 20%，数据输入/输出速度提高 60%。

　　三星还通过一项名为“低功耗设计”的功能大幅降低了功耗。该技术通过仅发送必要的位线来降低驱动 NAND 单元的电压，从而分别将数据读取和写入的功耗降低 30% 和 50%。