消息称台积电首台高数值孔径 EUV 光刻工具将于本月开始安装

　　台积电在采用 EUV 光刻工具进行量产方面领先于英特尔，但在高 NA EUV 系统方面，该公司似乎落后于其美国竞争对手。据《电子时报》和《联合报》报道，英特尔已将其 ASML 高 NA EUV 机器用于研发目的，并打算在未来两三年内使用高 NA EUV 光刻技术， 而 台积电将于本月晚些时候开始安装其首台高 NA EUV 工具用于 研发。
　　台积电首台 ASML Twinscan EXE:5000 是专为研发目的而设计的高数值孔径光刻系统，即将安装在台积电位于台湾新竹的全球研发中心。这家全球最大的芯片代工厂将于本月晚些时候开始接收该机器的零部件。台积电需要几个月的时间来组装和校准该设备，然后才能在其台湾研发中心测试下一代半导体生产技术。
　　台积电即将推出的工艺技术——N2（2nm 级）和 A16（1.6nm 级）——将完全依赖传统的 EUV 设备，其光学元件的数值孔径为 0.33（低 NA）。台积电最早将在 2028 年左右或更晚的时候推出A14（1.4nm 级）工艺技术，其光学元件的数值孔径为 0.55 ，不过该公司尚未确认这一点。然而，由于高 NA EUV 光刻工具将光罩尺寸缩小了一半，因此它们的使用将给芯片设计人员和制造商带来额外的挑战，这也许就是台积电并未加速使用高 NA EUV 工具的原因。
　　台积电不急于采用高NA EUV 工具的另一个原因是其价格。正如该公司负责新工艺技术开发的 Kevin Zhang 今年早些时候指出的那样：他喜欢高NA 工具的性能，但不喜欢它的价格。
　　每台高数值孔径光刻机的成本约为 4 亿美元，但台积电总裁魏则西亲自协商，获得了近 20% 的折扣。此次降价是通过将新机器的购买与 ASML 的其他设备购买相结合实现的。考虑到台积电已经是 EUV 光刻系统的主要用户，估计拥有全球 65% 的 EUV 生产能力，ASML 肯定倾向于与这家代工厂达成交易，因为它已经是其最大的客户之一。