三星、SK 海力士扩展 DRAM 业务

　　人工智能的快速发展，全球DRAM市场预计将超越晶圆代工行业，全球内存芯片制造商三星电子和SK海力士正在扩大其动态随机存取存储器业务。据业内人士周一首尔透露，全球内存芯片领导者三星决定在韩国京畿道平泽的半导体制造基地建设一条PH3生产线，用于生产DRAM和其他组件，同时暂停晶圆代工厂洁净室的建设。消息人士称，该工厂预计将于生产用于高带宽内存（HBM）芯片的 DRAM 芯片，这些芯片将配备在超威半导体公司（AMD）的 AI 加速器中。HBM 是通过相当先进的 DRAM 芯片制成的。“三星首次在 P4 安装使用于 DRAM 生产的设备，”其中一位消息人士表示，他指的是其在平泽的第四个半导体基础设施。
　　花旗表示，该公司在 DRAM 方面的资本支出（不包括建筑支出）预计将在2024年增长9.2%，达到95亿美元，为2020年以来最大的纪念碑。到2025年 今年，资本支出可能会进一步增加到120亿美元。
　　去年削减了资本指出的SK海力士准备在DRAM芯片上的支出增加两倍多，从2023年的23亿美元达到今年的71亿美元。明年该领域的投资将进一步增加到105亿美元。花旗全球科技与通信部门联席主管Peter Lee表示：“大约65%的内存芯片投资将花在DRAM上。很多资金将用于HBM等高附加值的DRAM。”全球内存芯片市场正在增长。

　　据行业分析公司 Omdia 和 Techinsights Inc. 称，该行业包括 DRAM 和 NAND 芯片，预计今年的规模将增长近一倍，达到 1750 亿美元，超过台湾半导体制造公司主导的一代工行业1203亿美元。内存芯片市场规模很可能在2025年首次超过2000亿美元，届时DRAM市场规模将达到1620亿美元。

　　三星和SK海力士将投资存储亿美元开发下一代产品，例如在内存中执行中央处理器（CPU）操作的内存处理（PIM）和快速计算机托盘（CXL），即时是一种统一接口，可提高性能服务器系统中与CPU和图形处理单元(GPU)共同使用的加速器、DRAM和存储设备的效率首尔国立大学材料科学与工程系混合材料教授黄哲成表示：“在半导体行业历史上，内存芯片的增长速度超过了CPU。”黄哲成曾在2014年至2015年领导韩国顶尖大学的校际半导体研究中心，他表示：“内存芯片有望发挥包括计算在内的各种作用，以解决因数据增加导致性能下降的问题。”
　　SK海力士今年早些时候收到了一家AI加速器制造商的吸引力。该公司要求韩国科技聚会建立一条专用的内存芯片生产线，并表示将预付超过5000亿韩元。SK海力士拒绝了这一提议，因为致力于全球第一大人工智能芯片制造商英伟达公司提供价值超过1万亿韩元的产品。
　　首尔一位知情者表示：“这是人工智能快速发展的以内存为中心的计算时代的一个轶事。”以内存为中心的计算旨在使生成和存储数据的所有位置及其附近都具备计算能力。
　　内存芯片制造商正在加大DRAM产量，这引发了对供应过剩的担忧，但内存芯片制造商受影响。
　　彭博社报道称，谷歌和阿里巴巴集团等13家美国和中国大型科技公司今年计划在AI数据中心共投资2262亿美元，较2023年年增长33.7%。预计到2025年，他们的投资将增长13.4%，达到2566亿美元。
　　消息人士称，大部分预算可能会花在AI加速器上，从而维持DRAM市场一段时间的繁荣。
　　预计到2025年底，HBM将占三星DRAM产能的26%，占SK海力士DRAM产量的28%，其价格是最新DDR5产品的五到六倍。这将提高这相当于韩国芯片制造商的盈利能力。