SK海力士已与美国商务部签署谅解备忘录,将获得高达 4.5 亿美元的直接资金,并根据《芯片与科学法案》获得 5 亿美元的贷款,用于在印第安纳州西拉斐特建设先进的内存封装工厂。如果该项目取得成功,那么美国将拥有自己的高带宽内存 (HBM) 供应,这对于 AI 和 HPC 处理器至关重要。
如果 SK 海力士继续推进该项目,该先进封装工厂将于 2028 年开始运营,并将创造多达 1,000 个就业岗位。该工厂预计耗资 38.7 亿美元,将成为全球最大的先进封装工厂之一。但如果没有美国政府高达 4.5 亿美元的直接资金支持和 5 亿美元的贷款,该项目就不可能完成。此外,SK 海力士打算通过投资税收抵免计划寻求高达 25% 的合格资本支出税收优惠。
考虑到 SK 海力士印第安纳先进封装工厂的时间表,该工厂可能会生产 HBM4 或 HBM4E 内存,这将需要相当复杂的封装技术。特别是,一些 HBM4/HBM4E 设备将使用先进的中介层与处理器集成,其他设备将直接植入处理器,这将需要强大的技术能力。
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