英诺赛科回应英飞凌专利侵权指控：反对非正常竞争！

　　据中国贸易救济信息网报道，半导体巨头英飞凌科技（Infineon）上周已向美国国际贸易委员会（ITC）提出337调查申请，指控中国（GaN）芯片制造商英诺赛科（Innoscience）侵犯了其专利权。英飞凌寻求在美国市场禁止进口和销售英诺赛科的相关产品。据称，该指控是基于在美国销售的特定半导体器件及其下游产品侵犯了英飞凌的专利权，包括涉及诉讼的四项专利的法律索赔。此外，英飞凌还扩大了之前在加州北区地方法院审理的诉讼，增加了对英诺赛科及其附属公司的索赔，指控其侵犯了英飞凌拥有的另外三项涉及氮化镓技术的专利。
　　受指控公司包括：中国江苏英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（Innoscience (Suzhou) Technology Company, Ltd. ）、中国江苏英诺赛科（苏州）半导体有限公司（Innoscience (Suzhou) Semiconductor Co., Ltd.）、中国广东英诺赛科（珠海）科技有限公司（Innoscience (Zhuhai) Technology Company, Ltd.）、美国英诺赛科（Innoscience America, Inc. of Santa Clara,CA）。
　　对此，英诺赛科3日对英飞凌提起的专利侵权指控做出了回应，强调自身在氮化镓领域的全球领先地位和自主知识产权，认为对方的诉讼是竞争手段。公司已采取法律措施进行应对，并相信通过法律手段可以使对方专利无效。英诺赛科表示坚决反对不正当竞争手段，将继续加大研发投入，确保产品市场竞争优势，同时推崇合作共赢，助力全球氮化镓产业繁荣发展。
　　作为全球首家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的公司，目前英诺赛科已经发展成为全球功率半导体革命的领导者，亦是全球唯一具备产业规模提供全电压谱系的硅基氮化镓半导体产品的公司。若以氮化镓分立器件出货量折算，英诺赛科于2023年在全球氮化镓功率半导体公司中排名第一，市占率为42.4%；截至2023年12月31日，公司累计出货量超过5亿颗。