安富利ASIC为台积电4nm及以下工艺提供设计服务

　　安富利ASIC团队构建了一种全面的技术A-Z方法，以实现在极低电压下工作的高性能芯片的PPA优化，并在台积电的4nm工艺中得到证明。性能、动态和漏电功率估算已通过硅后验证得到证实。
　　客户定义了电路板解决方案和芯片实现概念、要求，并基于库表征执行了前端设计，以实现接近阈值的电压操作。然后，安富利ASIC执行了这一设计，以满足积极的市场目标，使客户的应用具有超低功耗性能。
　　“当今的行业挑战之一是通过选择正确的技术来满足客户需求来优化应用程序性能，”安富利的Pavel Vilk说。
　　这些新服务是在 2 月份任命安富利 ASIC 团队为价值链聚合商 （VCA） 之后推出的。
　　此次任命将安富利ASIC团队定位为台积电ASIC客户的渠道，提供从设计开始到布局和批量生产的完整交钥匙解决方案，采用台积电最先进的硅工艺实施。