SK海力士在3D DRAM领域实现56%的良率

　　根据外媒报道，SK海力士正在加速其在通常被称为“梦想记忆”的尖端领域的领先地位，即三维（3D）DRAM。该公司凭借其高带宽内存 （HBM） 已经成为人工智能 （AI） 半导体市场的领导者，现在正在寻求在下一代 DRAM 领域继续创新。
　　据业内人士透露，SK海力士于6月16日至6月20日在美国夏威夷举行的著名半导体会议“VLSI 2024”上发表了一篇关于3D DRAM的研究论文。
　　在这篇论文中，SK海力士报告说，3D DRAM的制造良率为56.1%，分为五层。这意味着在单个测试晶圆上制造的大约 1,000 个 3D DRAM 中生产了大约 561 个可行器件。实验性的3D DRAM显示出与当前使用的2D DRAM相似的特性，这在提供的数据中也得到了强调。这是SK海力士首次披露其3D DRAM开发的具体数据和操作特点。
　　业内专家认为，本文是一个重要的里程碑，表明SK海力士即将获得下一代DRAM的核心技术。与将存储单元排列在平面上的传统DRAM不同，3D DRAM将这些单元垂直堆叠，类似于公寓楼。这允许在同一空间中实现更高密度的存储单元，但在技术实施方面提出了挑战。保护基础技术可能会改变DRAM的范式。
　　3D DRAM也是三星电子（Samsung Electronics）和美国美光科技（Micron Technology）等竞争对手大力开发的重点。值得一提的是，三星电子在3月于美国举行的“MemCon 2024”展会上预测，计划在2030年左右量产该产品，这表明其对未来技术领导地位的渴望。在会议上，SK海力士间接表达了在3D DRAM市场复制HBM领域的技术创新的决心，以回应三星的介绍。
　　然而，SK海力士也表示，虽然3D DRAM的潜力很大，但在实现商业化之前，还需要大量的开发过程。他们指出，与2D DRAM的稳定运行不同，3D DRAM表现出不稳定的性能特征，需要堆叠32至192层存储单元才能用于一般用途。