美光将全球扩产HBM

     根据报道，美光此前宣布，计划在一年后将其高带宽内存 (HBM) 市场份额从目前的“中个位数”提高到 20% 左右（即约 25%）。但是，该公司并未透露有关如何扩大 HBM 生产能力的更多细节。日经新闻 现在透露了一些潜在计划，并表示美光将扩大其在台湾的生产能力，加强其在美国的研发业务，甚至正在考虑在马来西亚生产 HBM3E  。这完全是非官方信息，因此请谨慎对待。
　　HBM 是一种 DRAM，但它使用的内存设备与商用内存模块不同。HBM DRAM 芯片容量更大，接口更宽，这使得它们的生产难度更大。生产后，每台设备都必须单独测试，以确保其符合质量、性能和功率目标。每个 HBM 模块将八个或十二个已知良好的 HBM 芯片堆叠在一起，使用硅通孔将它们连接起来，然后将堆栈放置在基本逻辑芯片上。为了提高 HBM3E 产量，美光需要增加 HBM DRAM 设备的产量（这可能会以生产更少的商用 DRAM 为代价），确保其拥有足够的 HBM DRAM 测试能力，以及堆叠和 TSV 能力。
　　美光最大的 HBM 生产基地位于台湾台中，该公司在那里生产 DRAM 芯片、测试它们，然后组装 HBM3E 堆栈。据消息来源报道，该公司目前正在增加其台湾业务的产能，但并未详细说明增加的产能。这无疑是令人欣慰的（尤其是对 Nvidia 而言），尽管 美光的 HBM3E 内存供应在 2025 年的大部分时间里都已售罄。
　　此外，据《日经新闻》报道，美光正在考虑在马来西亚建设 HBM 生产能力，该公司已经在马来西亚进行商品内存芯片测试和组装。美光不太可能在马来西亚生产真正的 DRAM 芯片，因为内存工厂需要数年时间才能建成和装备。但在马来西亚测试 HBM3E 芯片甚至组装 HBM3E 是有可能的。不过，美光必须再次亲自证实这一点。
　　最后，据报道，美光还在其位于爱达荷州博伊西的总部为先进的 HBM 芯片建立了额外的测试生产线，并在美国扩大研发设施，可能为 2025 年末至 2026 年的下一代 HBM4 内存做准备。